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行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...
2023年2月26日 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基 2014年9月25日 相比国内外同类设备而言，ISC 3010 线速提升1.7倍，更容易成为大批量晶体加工实际操作的好帮手。设备以其革新性炭化硅 xi加工碳化硅设备,设备以其革新性的高效线速
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机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速 ...
2023年2月27日 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器 2023年5月4日 推出国内首款高线速碳化硅金刚线切片机GC-SCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率，显著降低生产成本，行业内独家实现批量销 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备 ...
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碳化硅产业核心设备
2023年12月22日 实际上，国内外碳化硅切磨抛环节技术路线差距并不大，主要还在设备的精度和稳定性上，这对衬底加工的效率和产品良率有关键影响，目前国内企业相比国外还 2022年12月15日 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”. 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_
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迈向半导体 碳化硅设备龙头，设备 零部件协同布局铸造高壁垒
2023年7月14日 1）外延设备：应用于半导体与碳化硅领域的外延生长薄膜，在硅片衬底上生长出外延单晶薄 膜，广泛应用于半导体Si与碳化硅SiC领域。 2）市场空间：预计2023 2022年12月7日 为提高生产效率并降低成本，大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向，在 8 英寸碳化硅晶片尚未实现产业化的情况下， 6 英寸碳化硅晶片将成为市场主流产 晶盛机电已成功生长出8英寸碳化硅晶体，并建设6英寸 ...
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晶盛机电：自主研发了碳化硅长晶设备、核心加工设备以及 ...
2021年12月31日 公司自主研发了碳化硅长晶设备、核心加工设备以及外延设备，在6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节已建立测试线。 2021年10月26日，公司公告了计划投 2024年6月23日 据“行家说三代半”调研发现，截至2024年4月，全球已有20家企业正在或计划推进8吋SiC晶圆产线建设，其中有8个项目落地中国。. 据测算，SiC晶圆从6英寸扩大到8英寸，SiC芯片产量可增加90%，在8英寸晶圆上制造的SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，这将进一步加速 ...20家企业将建8吋SiC线！4家国内企业提前布局-电子工程专辑
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碳化硅切割技术比较（资料） 碳化硅切割碳化硅主流的切割 ...
2023年11月5日 碳化硅切割碳化硅主流的切割方式分为砂浆线切割、金刚线切割、激光切割（水导激光、激光剥离、激光冷切割）。对于国内厂商而言，砂浆线切割技术已应用于绝大部分碳化硅衬底厂商，金刚线切割技术也成为了主流迭代方案。尽管金刚线相较于砂浆线切割优势明显，但仍存在一些问题：1、加...Zhihu's column provides a platform for writers to freely express themselves and share their thoughts.知乎专栏 - 随心写作，自由表达 - 知乎
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碳化硅陶瓷精密加工：烧结前和烧结后的高效加工方法_领域 ...
2024年1月24日 2. 烧结后加工烧结后的碳化硅陶瓷零件需要进行精密加工，以满足各种应用领域的性能要求。. 传统的加工方法主要有磨削、研磨等，但这些方法存在加工效率低、加工成本高、加工精度难以保证等问题。. 而陶瓷雕铣机可以实现对烧结后碳化硅陶瓷零件的高效 1 天前 在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大 (目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。. 目前主流的切割工艺大体 ...顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术 ...
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「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现 ...
2024年3月7日 碳化硅（SiC）作为一种先进的半导体材料，在多个关键领域中具有重要应用。随着技术进步和市场的需求增长，碳化硅晶圆的制造工艺和精密加工技术变得至关重要。文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术，以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时，文章也提到了中国在全球 ...3 天之前 2023 年连城数控液相法碳化硅长晶炉顺利下线。新设全资子公司连科半导体与清华大学合作，发展半导体相关业务，规划建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地。2024年5月上线“新一代8英寸碳化硅长晶炉”。国内碳化硅（SiC）长晶炉供应商10强 - 艾邦半导体网
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产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_
2022年12月15日 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”. 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。. 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 ...2012年4月9日 硅片 是半导体和 光伏 领域的主要生产材料。. 硅片 多线切割 技术是目前世界上比较先进的硅片加工技术，它不同于传统的刀锯片、砂轮片等切割方式，也不同于先进的激光切割和内圆切割，它的原理是通过一根高速运动的钢线带动附着在钢丝上的切割刃料对硅 硅片多线切割技术详解 - 北极星太阳能光伏网
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碳化硅陶瓷工件生产：如何满足不同工件的加工需求 - 百家号
2024年3月4日 碳化硅陶瓷工件的生产主要包括以下几个步骤：. 1. 原料制备：碳化硅陶瓷的主要原料是石英砂和石墨。. 首先，将石英砂进行粉碎，然后与石墨混合均匀，形成碳化硅陶瓷的生胚。. 陶瓷精密加工. 2. 成型：将碳化硅陶瓷的生胚放入模具中，通过压力成型，使其 ...2024年5月5日 三、控制加工参数. 在加工碳化硅陶瓷时，需要严格控制加工参数，如切削速度、进给速度、切削深度等。. 这些参数的选择直接影响到加工效果。. 如果参数设置不当，可能会导致刀具磨损严重、加工表面粗糙、开裂等问题。. 因此，需要根据碳化硅陶瓷的特 碳化硅陶瓷加工注意事项？_刀具_参数_设备
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线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用_砂浆_线切割_材料
2023年6月18日 与砂浆线切割技术不同的是,该技术通常使用水基冷却剂,因此较为环保。. 本文综述了线锯切片技术的研究进展,以硅材料为例介绍了线锯切片技术的力学模型和材料去除机理, 接着讨论了线锯及工艺相关因素对材料去除的影响。. 最后,介绍了线锯切片技术在 2024年3月20日 今年一季度，碳化硅半导体行业进入传统淡季，然而优晶科技等企业却逆势增长： 获得国际巨头8英寸SiC长晶设备订单，同时还将与2家韩国客户签约； 获得国内200台设备订单，并且与2家光伏企业签订了碳化硅长晶设备战略合作协议； 究竟优晶科技获得了哪家国际巨头的青睐？又一巨头建设8英寸SiC产线，已采购这家国产设备 今年一季度 ...
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高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可用于 ...
2023年12月26日 CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备。. 该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可用于切割10吋 ...2023年5月22日 国产SiC衬底激光剥离实现新突破-电子工程专辑. 重磅！. 国产SiC衬底激光剥离实现新突破. 最近，泰科天润董事长陈彤表示，国内SiC单项目突破100万片的关键在于成本，即“碳化硅器件成本仅为硅器件的2倍”。. 碳化硅器件降本需要全产业链的共同努力，其中 ...重磅！国产SiC衬底激光剥离实现新突破 - 电子工程专辑 EE ...
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出片率提升5%以上!高测股份新一代碳化硅切片机“破局”8英寸领域
2023年7月4日 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm。. 具有料损小、加工质量好、切割效率高、稳定性好等特点。. 近年来，在下游需求带动下，碳化硅晶圆正在从6英寸开始向8英寸推进，更大 2024年4月19日 成果推介：大尺寸碳化硅激光切片设备与技术. 大尺寸碳化硅激光切片设备与技术. 1. 痛点问题. SiC不仅是关系国防安全的的重要技术，同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常注重的关键技术。. 将生长出的晶体切成片状作为碳化硅单晶加工过程的第一道工 成果推介：大尺寸碳化硅激光切片设备与技术
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SiCP/Al复合材料复合加工技术研究进展
2023年12月22日 复合材料进行加工时，需要在不同加工阶段选取合适高效高质量的加工方式。因此，本文通过对现有 SiC P/Al 复合材料复合加工技术进行研究，分析对比主要加工技术的长处，力求为SiC P/Al 复合材料复合 加工技术的创新应用做些有意义的工作。 2. SiC2024年3月1日 激光切割技术早已经应用于硅晶锭的切割，但在碳化硅领域的应用还未成熟，目前主要有以下几项技术。. 1、 水导激光切割. 水导激光技术（Laser MicroJet, LMJ）又称激光微射流技术，它的原理是在激光通过一个压力调制的水腔时，将激光束聚焦在一个喷嘴 碳化硅的激光切割技术介绍_切割_工艺咨询_激光制造网
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应用材料公司全新技术助力领先的碳化硅芯片制造商加速向 ...
4 天之前 应用材料公司全新技术助力领先的碳化硅芯片制造商. 加速向 200毫米晶圆转型并提升芯片性能和电源效率. 2021 年 9 月 8 日，加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司今日宣布推出多项全新产品以帮助世界领先的碳化硅 (以下简称SiC) 芯片制造商从150毫米晶圆量 2023年9月3日 半导体｜线锯在碳化硅晶圆加工中的应用. 4H碳化硅 (4H-SiC)具有禁带宽度大、击穿场强高、电子迁移率高、热导率高、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，对国民经济和国防军工的发展至关重要。. 然而，4H-SiC单晶属于硬脆材料，其硬度和弹性模量远高于 行业知识小课堂！半导体｜线锯在碳化硅晶圆加工中的应用
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国产碳化硅半导体材料企业的进阶样本 天岳先进宗艳民：核心 ...
2023年11月30日 碳化硅衬底是天岳先进的核心产品及主要收入来源，该公司主营业务为碳化硅衬底的研发、生产及销售，产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。 经过十余年技术积累，其已掌握涵盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节核心技术。2020年7月17日 具体到本文的碳化硅超精密移动平台，它是光刻机的核心组件之一，其主要功能是承载晶圆按照指定的运动轨迹做高速超精密运动并完成一系列曝光所需动作，包括上下片、对准、晶圆面型测量和曝光等， 啃下高端光刻机第一块硬骨头：碳化硅超精密运动平
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线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用
2022年10月12日 本文以发展最成熟的硅材料为例,介绍了线锯切片技术的基本理论,特别介绍了线锯切片技术的力学模型和材料去除机理,并讨论了线锯制造技术及切片工艺对材料的影响。. 在此基础上,综述了线锯切片技术在碳化硅晶圆加工中的应用和技术进展,并分析了线锯切 2023年9月3日 1、节选自《线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用》. 2、超硬材料综合网. 3、郑州千磨材料科技有限公司官网. 本文禁止转载或摘编. 单晶硅 线锯 碳化硅 碳化硅晶圆 单晶SiC. 4H碳化硅 (4H-SiC)具有禁带宽度大、击穿场强高、电子迁移率高、热导率高、耐 郑州千磨谈：半导体加工领域里线锯在碳化硅晶圆加工中有 ...
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2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 艾邦 ...
2023年11月30日 虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 2023年5月21日 国内主要设备厂家包括中国电子科技集团公司第四十五研究所、唐山晶玉和湖南宇晶等，国产设备在切割效率、加工精度、可靠性和工艺成套性等方面与国外设备有一定差距，100～150mmSiC晶体切割设备线速度水平只能达到造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_中国
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宇晶股份：目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量 ...
2023年11月3日 宇晶股份近期接受投资者调研时称，碳化硅是第三代半导体材料代表之一，碳化硅是一种高性能的磨料，具有高硬度、高强度、高耐磨性、高耐腐蚀性、高热稳定性等特点，其材料加工难度大，制作成本高。近年来，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平 ...2024年2月20日 2. 高效率：陶瓷生胚加工机床采用高速切削技术，可以大大提高碳化硅陶瓷的加工效率。. 与传统的成型方法相比，陶瓷生胚加工机床的加工效率可以提高数倍甚至数十倍。. 3. 减少裂纹和变形：由于陶瓷生胚加工机床采用非接触式加工方式，刀具与陶瓷生胚之 碳化硅陶瓷加工新方法：陶瓷生胚加工机床的优势与挑战 ...
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